台积电在近期于美国举办的北美技术论坛2025上，正式揭晓了其全新的1.4nm级工艺——A14。据台积电透露，这一工艺预计将在2028年上半年投入量产，且其命名和技术均直接对标了Intel的1.4nm级工艺A14。
台积电强调，A14并非过渡型工艺节点，而是全新升级的一代。与N2 2nm级工艺相比，A14在同等功耗下性能可提升10-15%，在同等性能下功耗可降低25-30%。A14的逻辑晶体管密度最多可提升约23%，芯片密度最多可提升约20%。
在技术层面，A14采用了第二代GAAFET全环绕纳米片晶体管，并引入了新的标准单元架构NanoFlex Pro。这一架构允许在设计芯片时，针对特定的应用或负载，对晶体管配置进行精细调整，以达到更优的性能、功耗和面积（PPA）平衡。
值得注意的是，A14还配备了全新的IP、优化和EDA设计软件。然而，这些与N2P 2nm、A16 1.6nm工艺并不兼容。这意味着，台积电在推进A14工艺的同时，也在构建一个新的生态系统。
尽管A14在技术和性能上都有所突破，但遗憾的是，在首发时并未搭载Super Power Rail（SPR）背部供电网络（BSPDN）。这一点与台积电的A16和Intel的A18/A14有所不同，而与其N2、N2P工艺相似。
不过，台积电已经承诺，将在2029年推出A14工艺的升级版，届时将加入背部供电技术，进一步提升性能。这一升级版目前尚未命名，但有可能会被称为A14P。未来，还有可能演化出更高性能的A14X和更低成本的A14C。
与此同时，台积电的A16和N2P工艺也备受关注。据透露，这两种工艺预计将在2026年下半年量产。这意味着，台积电在先进工艺领域的布局正在加速推进。
Intel代工业务自去年2月成立以来，也一直在积极推进其1.4nm级工艺A14的研发。据Intel透露，他们将在业界首次采用全新的High NA EUV光刻机，并预计在2026年左右推出这一工艺。届时，台积电和Intel将在先进工艺领域再次展开激烈竞争。
随着台积电和Intel在先进工艺领域的不断突破和竞争，全球半导体产业也将迎来更加激烈的变革。未来，谁能在这一领域占据领先地位，将取决于其技术实力、市场布局和创新能力。
