内存大厂新动向:HBM4或采用无助焊剂键合技术,层间间隙有望进一步缩减

   发布时间:2024-11-14 12:23 作者:柳晴雪

随着内存技术的不断进步,业界领先的半导体制造商正积极探索下一代高带宽内存(HBM)的革新方案。近日,据韩国科技新闻网站ETNews披露,三星电子、SK海力士及美光科技均对在即将推出的HBM4内存中采用新型的无助焊剂键合技术展现出了浓厚兴趣,并已着手进行相关技术储备。

据了解,HBM内存技术自问世以来,就以其超高的数据传输速度和能效比受到了业界的广泛关注。随着技术迭代至HBM4阶段,16层堆叠结构将成为主流,这要求制造商必须进一步压缩内存层间的间隙,以确保整体堆栈高度不超出规定的775微米限制。

在这一技术挑战面前,传统的有凸块键合技术虽仍占据主导地位,但无凸块的混合键合技术也在不断发展中。然而,目前该技术尚未成熟,难以立即应用于大规模生产。因此,三大内存制造商开始将目光转向了无助焊剂键合技术。

助焊剂在现有的HBM键合工艺中扮演着重要角色,它能够有效清除DRAM芯片表面的氧化层,从而确保键合过程中的机械和电气连接不受干扰。然而,助焊剂残留物也会增加芯片间的间隙,进而影响整体堆栈的高度。

针对这一问题,美光科技表现得尤为积极,已与多家合作伙伴共同测试无助焊剂键合工艺的可行性。SK海力士也在考虑引入该技术,而三星电子同样对此保持高度关注。这三大内存制造商的准备程度虽有所不同,但无疑都认识到了无助焊剂键合技术在未来HBM4内存生产中的潜在价值。

 
 
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