三星研制成功1c nm良品晶粒,HBM4内存迎新突破!

   发布时间:2024-10-22 16:35 作者:柳晴雪

三星电子在内存技术领域取得了新的突破。据韩媒ZDNET Korea报道,该公司已成功研发出1c nm(第六代10nm级)DRAM内存的良品晶粒,这一成果在公司内部获得了高度评价。

然而,1c nm DRAM的量产仍面临挑战,首批产品的良率尚不足一成。为推进量产进程,三星电子计划在今年底前完成首条1c nm DRAM内存量产线的建设。

▲ 三星电子HBM内存示意图

据悉,三星下一代HBM内存HBM4预计将基于1c nm DRAM制程,以期在市场竞争中追赶并超越SK海力士与美光。

按照行业惯例,新DRAM制程通常先应用于DDR内存,再逐步扩展至LPDDR,最后在HBM上应用。但考虑到1c nm DRAM的量产时间和HBM4的预计量产时间,三星可能会打破这一常规顺序。

▲ 生产线示意图

▲ DRAM内存芯片

▲ HBM内存模块

 
 
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