【沃资讯】12月4日消息，三星电子的极紫外(EUV)光刻技术近日取得了显著的突破。据悉，三星电子DS部门研究员Kang Young-seok详细介绍了该公司EUV技术的最新进展和未来计划。在这一技术领域，三星采用的EUV薄膜透射率已成功提高至90%，并有计划将其进一步提升至94%-96%。EUV薄膜在半导体制造中扮演重要角色，作为光刻工艺所需的关键材料，其主要功能是充当保护层，以防止异物对半导体器件制造过程中的缺陷产生影响。
这项技术的关键点在于EUV薄膜的透射率，目前已达到90%，但相比之下，这意味着只有90%的光线能够穿透薄膜，到达掩模，这可能对电路图案的精度产生一定影响。与传统的氟化氩(ArF)工艺中使用的薄膜透射率99.3%相比，存在一定差距。有外媒指出，EUV薄膜在商业化过程中可能面临挑战，因为在EUV工艺过程中产生的热量可能导致薄膜变形或破裂。
据沃资讯了解，三星已在其一些高端EUV代工生产线上引入了这一新型薄膜技术，服务于其主要客户。虽然三星也在DRAM生产线中应用EUV工艺，但鉴于生产率和成本的考虑，公司认为在内存量产中不必使用该薄膜技术是可行的。
三星采用的EUV薄膜并非来自韩国国内供应商，而是由日本三井物产提供。尽管韩国的一些公司，如FST和S&S Tech，正在积极研发EUV薄膜，但目前尚未实现量产。与之相比，三星的竞争对手台积电已经在7纳米及更小工艺的生产线上成功使用了自家研发的EUV薄膜，显示出在这一领域的竞争激烈。
